![硅基射频器件的建模与参数提取](https://wfqqreader-1252317822.image.myqcloud.com/cover/930/43737930/b_43737930.jpg)
2.5.3 三维电感的模型参数提取
下面介绍三维电感的模型参数提取过程,首先本征基本单元总电阻nRC可以由-1/Y21的实部确定:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_66.jpg?sign=1738887412-H7l8TXe3tZ1rYIBDYqhAYzv4sEp7z6qv-0-09f18c2f1975341c040571be01657944)
本征基本单元总的电感Lvia+nLC可以由-1/Y12的虚部在低频情况下确定:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_67.jpg?sign=1738887412-eDKdTGSbIye6TUpMkCideJVoyCDb9XnF-0-1eca8f502d4b4577c8abb13f36c1d796)
式中,n为本征基本单元的数目,ω为角频率。
氧化层电容Cox1和Cox2由-1/(Y11+Y12)和-1/(Y22+Y12)的虚部在低频情况下确定:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_68.jpg?sign=1738887412-HW13QuRinJzW3h3vWB26sLfUSc4c0Yqk-0-c707a745cc0e790c7a4f1dfb012d99bd)
衬底电阻Rsub1和Rsub2可以由下面的公式估计:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_69.jpg?sign=1738887412-aygHYZveRzSYur3RkHJkJdxu8SqWCjU5-0-aa2ced72f672b905c24b7ae025a56698)
衬底电容Csub1和Csub2可以由下面的公式估计:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_70.jpg?sign=1738887412-yemN8snvggg4kPziLOnvEiwp7e0JLqWl-0-f91afcbc4c1001961e233bf1ab3b15b9)
耦合电容CC可以利用平板电容公式确定:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_71.jpg?sign=1738887412-y0boxMV41s98MwK60npqV8h4KsRCNy9G-0-4f09cac5407a919ec9c794780bb780ec)
式中,ε为介电常数,D为两层金属层之间介质的厚度,WC和LC分别为金属线圈的宽度和厚度。
两层金属间圆柱通孔的高度大约有几微米,远远小于工作波长的十分之一,因此其电感量Lvia可以由微带线的计算公式来估计:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_72.jpg?sign=1738887412-EmpNRcMExUzQ3JoxetUFOXtAhfP6dALY-0-e3f91893cc9dc32b92b068462c05a137)
式中,c为自由空间光的速度,Zo为馈线的特性阻抗,L为馈线长度和圆柱通孔高度之和。
图2.38给出了电感Lvia+nLC和本征电阻RC在低频情况下的提取结果,从图中可以看到,在0.1~2.0GHz的频段范围内几乎为常数。图2.39给出了衬底电阻Rsub1和Rsub2的提取结果,从图中可以看到,输入/输出端口的衬底电阻很接近。
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_73.jpg?sign=1738887412-STLzrgDmphVCtaWoiXza2BVkPaxa19Ra-0-5e68fabe6893a9dce8ba817ca25ac7ef)
图2.38 电感Lvia+nLC和本征电阻RC在低频情况下的提取结果
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_74.jpg?sign=1738887412-DGycBU7eqf8tBYO2up2ZOU70UqrlpAmU-0-7d4eb688cca3b578a66ee5b85d0df09a)
图2.39 衬底电阻Rsub1和Rsub2的提取结果
表2.7给出了提取的模型参数,其中第一列数值为直接提取结果,第二列数值为进一步优化的结果。图2.40给出了10MHz~20GHz频段S参数模拟和测试对比曲线,可以看出,模拟结果和测试结果吻合得很好。图2.41给出了10MHz~20GHz频段S参数精度对比曲线,可以发现和传统模型相比,本文所提出模型S11的精度在高频范围内得到了较大的改善。
表2.7 三维电感模型参数
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![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_76.jpg?sign=1738887412-vBOvJ79G3VJFpeUcym6dyVDgjCMDzEKy-0-aa3fd971df5f311fee3ff8dbee7916cc)
图2.40 三维电感S参数模拟和测试对比曲线
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_77.jpg?sign=1738887412-zW3gXIyHdRTtNBJ4CFyH3BdGoJ3ayj44-0-d11b7fc5ce769223ada562a76cd9c0f6)
图2.41 三维电感S参数精度对比曲线